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?CGHV35150 S光波工作功率變成器CREE

更新時間:2023-10-16 16:55:53     閱覽:873

Wolfspeed的CGHV35150是款特殊設計的的高吸收率率氮化鎵(GaN)高電子廠轉遷率晶狀體管(HEMT);高增益值和光纖傳輸寬帶網絡性能指標;這也導致CGHV35150特意更適合2.9–3.5GHzS波長雷達天線調大器運用。CGHV35150選擇陶瓷廠家/金屬材質卡箍和藥丸式封裝類型。

特殊性

額定的電容量=150W@TCASE=85°C

的頻率范圍內=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB最大功率增益控制值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時經典漏級熱效率為50%

設置自適應

<0.3dB輸入脈沖震幅變低

采用研究方向

Sk線統計變成器

CREE(科銳)成為于1987年,CREE科銳有著30多年以的聯通寬帶GAP原的材料料和自主創新類產品,CREE科銳一個詳細的設計構思達成合作粉絲,達到rf射頻的使用需求,CREE科銳為行在業內工藝專業的機械設配設配提拱更強的工作效率和更低的基本功能耗損率。CREE科銳由最展開的GaN基面材料LED軟件設備系統智領全的世界,到微波微波射頻微波射頻與直徑波處理芯片軟件設備,CREE科銳于2017年剝離 出微波通信頻射名牌Wolfspeed,以帶寬、大電功率放縮器食品為特性。

廣州 市立維創展科技公司是CREE的生產商商,具備CREE微波通信配件優缺點供應商途徑,并長時庫存商品現貨平臺,以備不時之需中華銷售市場供需。

商品詳情頁熟知CREE紅外光射頻紅外光請單擊://www.takasago.net.cn/brand/35.html

CREE (15).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV35150P

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV35150F-AMP

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%


Evaluation Board

Flange

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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