發布新聞時候:2023-09-13 16:58:47 閱讀:1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
特征英文
導入適用
普通的脈沖造成的連續不斷波特點;960–1215MHz;50V;雙層結構;128μs輸入脈沖厚度;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的模擬輸出崗位成功率;崗位成功率=68%;增益值值=17dB
無鉛并充分滿足RoHS的標準
軟件領域
汽車雷達變成器
CREE(科銳)成立公司于1987年,CREE科銳提供30數年的聯通寬帶GAP鋼筋取樣料和什么是創新的產品,CREE科銳一個系統的構思合作項目朋友,不符合微波射頻的所需,CREE科銳為行同行業系統智領的刷卡機裝置出具更強的工作功率和更低的用途不足。CREE科銳由最開端的GaN基本材料LED的護膚品技術優勢全世紀,到徽波rf射頻與毫米左右波存儲芯片的護膚品,CREE科銳于2017年轉移出紅外光微波射頻名牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大工率調大器新產品為杭州特色。
長沙市立維創展科枝是CREE的分銷商商,都有CREE微波通信功率器件優劣勢購貨方式,并長期性庫存商品現貨黃金,以防在我國市場中供給。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |