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發布新聞事件:2023-06-13 16:42:27 閱覽:1292
CREE的GTVA107001EC是款700瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于960至1215MHz頻率段。GTVA10700具備輸入適配功能性;高效化;和熱強化封裝;帶螺母穩固法蘭盤。
特征描述
輸進自適應
重視的脈沖激光CW效能指標(AB類);1030MHz;50伏;128ms脈寬高寬比;10%pwm占空比;導出功效P3dB=890W;引流術質量=75%;增益控制值=18dB
就能夠所能承受10:1短路電流失諧(脈沖激光狀況下700W效果效果下的整個相位差:50V;100mAIDQ;128μs智能長寬比;10%pwm占空比
平面模特模特類IC(依據ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并滿足RoHS原則法律法規
應用
預警雷達變成器
CREE(科銳)確立于1987年,CREE科銳應具30這些年的聯通寬帶GAP原料料和多元化護膚品,CREE科銳是個完整版的設計方案合作共贏盟友,完全符合頻射的需要量,CREE科銳為行業界枝術精英型的儀器儀器出具更強的電機功率和更低的功用損失。CREE科銳由最著手的GaN基面材料LED軟件技術工藝領先于全這個世界,到徽波rf射頻與豪米波集成塊軟件,CREE科銳于2017年分離出微波頻射頻射項目Wolfspeed,以寬帶網絡、大電機功率變小器物料為少數民族特色。
廣州市立維創展科技信息是CREE的加盟商商,享用CREE徽波器材的優勢供貨周期產品線,并長期性的庫存盤點外盤,以防國家的市場所需。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA107001FC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA107001EC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |