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發布新聞時候:2023-01-05 16:44:22 搜素:785
Wolfspeed的CGH27030 專門為高效率設計的氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);高增益和寬帶寬性能;CGH27030 成為VHF理想化選擇;通信網絡;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應用領域。旋緊法蘭盤可以使用CGH27030 晶體管;焊接工藝藥丸式封裝;與一個3mmx4mm;表面貼裝技術;雙平無導線(DFN)封裝。
特性
VHF–3.0GHz操縱
30W基線瓦數能
>15dB小4g信號增加收益值
>28%推廣學習效率
適用
VHF;通訊技術無線網絡;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHzWiMAX和BWA增加器用范疇。
CREE(科銳)注冊于1987年,CREE科銳必備30數年的網絡帶寬GAP原料料和去創新類產品,CREE科銳就是個完整篇的設置相互合作粉絲,按照rf射頻的具體需求,CREE科銳為行行業內高技術精英型的廣州POS機主設備帶來了更強的公率和更低的基本功能材料耗費。CREE科銳由最剛剛開始的GaN基面材料LED品牌技術工藝一流全游戲世界,到徽波頻射與公分波存儲芯片品牌,CREE科銳于2017年破乳出紅外光微波射頻項目Wolfspeed,以帶寬、大功效變大器商品為代表性。
上海市立維創展創新科技是CREE的銷售商,存在CREE微波加熱電子器件優質供貨平臺平臺,并長期的庫存商品外盤,以防中國國整個市場標準。
商品詳情頁明白CREErf射頻微波加熱請打開網頁://www.takasago.net.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGH27030F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |
CGH27030P | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
CGH27030F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CGH27030S-AMP1 | GaN on SiC | 1.8 GHz | 2.2 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGH27030S | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Surface Mount |