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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

最中，我們奮斗的收獲引致無源GaN混頻器結構設計的在手機輸入三階交調截點（IIP3）與本土自激振蕩器（LO）驅使器的比重個方面多于其它砷化鎵（GaAs）無源混頻器結構設計的 - a品級質數開發MMIC將要創造線型工作熱效率。從S光波到K光波（2 GHz到19 GHz），那些新形無源GaN混頻器商品展示的IIP3數字8遠少于30 dBm，LO驅使電平約為20 dBm，線型工作熱效率少于10 dB。

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