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C中波段氮化鎵 HEMT調小器CGHV1F025 CREE

發表時間:2022-08-17 16:53:17     瀏覽器:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S應用在40伏鐵路FBA貨物道岔上,芯片封裝在3mmx4mm;單單從表面安裝使用;雙扁長無絞線(DFN)封裝類型。限制了電機功率;CGHV1F025需要從40V至20VVDD電流電壓下行駛;增加高收獲和高效、性價比最高率。

特殊性

獨角獸高達15GHz的反控

25W經典效果效率

9.4GHz時11dB增益值值

8.9–9.6GHz的技藝用途電源線路

軟件

L;S;C;X 和Kuk線增加器

CREE(科銳)確立于1987年,CREE科銳具備30幾年的帶寬GAP鋼筋取樣料和信息化產品,CREE科銳是一種個完美的規劃聯合夥伴,按照頻射的需求量,CREE科銳為行業內人士技術機器前沿的電腦機器提高更強的工作效率和更低的工作損耗率。CREE科銳由最著手的GaN基面材料LED護膚品的技能領跑全世紀,到微波微波射頻微波射頻與mm毫米波IC芯片護膚品的,CREE科銳于2017年離心分離出微波加熱rf射頻公司Wolfspeed,以寬帶網、大熱效率調小器食品為特色文化。

東莞市立維創展科枝是CREE的供應商商,有著CREE紅外光元器優勢與劣勢供應校園推廣渠道,并暫時庫存盤點期貨,以防中國人銷售市場實際需求。

詳細情況知道CREErf射頻徽波請鼠標單擊://www.takasago.net.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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