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C股票波段氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

發布信息精力:2022-08-10 17:04:39     瀏覽記錄:976

Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供更高的功率因素和更寬的帶寬。

優點

15W基本特征PSAT

28伏遠程操作

高熱擊穿場強

高的溫度反控

高達mg8GHz的控住

速度高

使用

2路個體工商戶錄音機

網絡帶寬調大器

蜂窩基本條件施工

測試方法裝置

ClassA;AB;最主要的適用OFDM的線型變成器;W-CDMA;邊沿;CDMA波型

CREE(科銳)設立于1987年,CREE科銳要具備30豐富的聯通寬帶GAP原料料和科學創意產品開發設備,CREE科銳不是個系統的設定合作項目同伴,契合微波射頻的需要量,CREE科銳為行在業內技術性領跑的機器人機械設備給予更強的額定功率和更低的職能不足。CREE科銳由最就開始的GaN材料LED品牌水平先進中國級,到徽波微波射頻與mm毫米波集成電路芯片品牌,CREE科銳于2017年提取出微波微波射頻微波射頻高端品牌Wolfspeed,以光纖寬帶、大電機功率變大器產品的為杭州特色。

河南市立維創展科技開發是CREE的生產商商,有CREE紅外光功率器件特點要貨業務,并長久的存貨現貨交易,以備不時之需中華銷售市場市場需求。

情況學習CREE徽波射頻徽波請點開://www.takasago.net.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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