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發布了時:2022-07-20 16:36:43 查詢:889
CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
的特征
17dB一般。10GHz時的小網絡信號增加收益值
60%一般值。10GHz時的PAE
6W典例Psat
40伏操作
高至18GHz的超控
廣泛應用
通信衛星通訊網絡
PTP通迅接入
海洋聲納
游船汽車雷達
渤海灣運輸船只公路交通售后服務
光纖寬帶拖動器
率高率縮放器

CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳遵循30二十多年的移動寬帶GAP鋼筋取樣料和什么是創新車輛,CREE科銳也是個完正的制定合伙夥伴,復合頻射的供給,CREE科銳為行行業新技術精英型的器機裝備供應更強的效率和更低的功效損耗費。CREE科銳由最剛開始的GaN基面材料LED好產品的技能精英型全的世界,到微波rf射頻rf射頻與公厘波處理芯片好產品的,CREE科銳于2017年隔離出徽波頻射項目Wolfspeed,以寬帶網絡、大電功率變成器類產品為杭州特色。
廣州市立維創展新材料技術是CREE的代理商商,具備CREE微波加熱電子元器件主要優勢交貨黑平臺,并長久的貨存外盤,以備不時之需中國人市場上需要量。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |