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更新時間段:2022-07-14 16:41:47 搜素:904
CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標;包括更高電壓擊穿;更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還保證更高功率密度和更寬的帶寬。C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002CREE選用分布式(行波)放大器設計方法;能夠在極小的空間內完成極寬的帶寬。保證裸片和具有銅鎢熱管散熱器的旋入式封裝形式。
CREE的Ck線GaN MMIC電率擴大器CMPA0060002提供2-W;20-MHz-6000-MHz;GaN MMIC馬力變成器。

本質特征
17dB小預警增益值值
3W特色PSAT
額定的輸出功率將高達28V
高的電壓穿透
室溫度操控
廣泛應用
加寬帶變小器
在線網絡光纖推動器
測試圖片設施
EMC調大器帶動器
CREE(科銳)確立于1987年,CREE科銳擁有30常年的網絡帶寬GAP鋼筋取樣料和技術創新企業產品,CREE科銳一個全部的設計的公司合作朋友,非常符合rf射頻的要求,CREE科銳為行業內人士技術精英型的絲機設備能提供更強的功效和更低的作用損失。CREE科銳由最進行的GaN基本材料LED產品技術設備先進全游戲,到微波微波射頻微波射頻與公厘波集成塊產品,CREE科銳于2017年剝離 出紅外光微波射頻牌子Wolfspeed,以網絡帶寬、大電率增加器的產品為代表性。
廣州 市立維創展科枝是CREE的銷售商,獲得CREE微波射頻集成電路芯片好處要貨渠道方式,并暫時存貨現貨交易,以供中國大行業的需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA0060002F1 | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | 25% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002D | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 30% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA0060002F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 23% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA0060002F1-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |