正式發布周期:2018-06-05 15:50:41 瀏覽記錄:2505
HMC637BPM5E是款砷化鎵(GaAs)、單處理器紅外光集成式電路板(MMIC)、假晶高光電子移遷率多晶體管(pHEMT)、級聯數據分布式架構耗油率放小器,在正常情況運轉時可進行自偏置且具備有IDQ可以選擇偏置把控好和收獲調正。該放小器的運轉次數比率為DC至6 GHz,打造15 dB小電磁波收獲、27.5 dBm傷害耗油率(1 dB收獲擠壓)、40 dBm非常典型傷害IP3和4 dB嘈音指數,用到VDD 12 V電源開關導出功率時耗電量為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz面積內的增加收益平滑度(舉例值±0.5 dB時)愈來愈卓越,而能尤為適用于國防、太空船和檢查生產環保設備用途。HMC637BPM5E還具備著實物識別至50 Ω的插入/導出(I/O),采用了適合RoHS標準的的5 mm × 5 mm LFCSP零件式空腔封裝,可與高容積表貼工藝(SMT)零件生產環保設備兼容。
品牌
型號
描述
貨期
庫存
ADI
HMC637BPM5E
GaAs、pHEMT、MMIC、單正電源、DC至6 GHz、1 W功率放大器
現貨
28
HMC637BPM5E結構圖
HMC637BPM5E應用
HMC637BPM5E優勢和特點