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HMC637BPM5E砷化鎵級聯分布圖式輸出功率放縮器 ADI現貨黃金代理加盟商

正式發布周期:2018-06-05 15:50:41     瀏覽記錄:2505

 HMC637BPM5E是款砷化鎵(GaAs)、單處理器紅外光集成式電路板(MMIC)、假晶高光電子移遷率多晶體管(pHEMT)、級聯數據分布式架構耗油率放小器,在正常情況運轉時可進行自偏置且具備有IDQ可以選擇偏置把控好和收獲調正。該放小器的運轉次數比率為DC至6 GHz,打造15 dB小電磁波收獲、27.5 dBm傷害耗油率(1 dB收獲擠壓)、40 dBm非常典型傷害IP3和4 dB嘈音指數,用到VDD 12 V電源開關導出功率時耗電量為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz面積內的增加收益平滑度(舉例值±0.5 dB時)愈來愈卓越,而能尤為適用于國防、太空船和檢查生產環保設備用途。HMC637BPM5E還具備著實物識別至50 Ω的插入/導出(I/O),采用了適合RoHS標準的的5 mm × 5 mm LFCSP零件式空腔封裝,可與高容積表貼工藝(SMT)零件生產環保設備兼容。

品牌 型號 描述 貨期 庫存
ADI HMC637BPM5E GaAs、pHEMT、MMIC、單正電源、DC至6 GHz、1 W功率放大器 現貨 28

HMC637BPM5E結構圖



HMC637BPM5E應用

  • 軍事與太空
  • 測試儀器儀表


HMC637BPM5E優勢和特點

  • P1dB輸出功率:27.5 dBm(典型值)
  • 增益:15 dB(典型值)
  • 輸出IP3:40 dBm(典型值)
  • 在VDD = 12 V(335 mA,典型值)下自偏置,VGG1(針對IDQ調整)和VGG2(針對增益控制)具有可選偏置控制
  • 50 Ω匹配輸入/輸出
  • 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝:25 mm2


推介方式
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