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Teledyne防務電子技術GaN寬帶網絡擴大器

發部時段：2022-06-15 16:38:22 訪問：1385

氮化鎵(GaN)耗油率半導體芯片技術性用途為增強微波射頻/微波射頻耗油率調小器耐腐蝕性上述了很大業績。再生利用縮短元集成電路芯片的附生集成電路芯片，用更短的柵極尺碼和更高的的工作電壓頻繁，GaN氯化鈉晶體管充分考慮了高的內容輸出耗油率、更寬的網絡帶寬和快速的直流電開關電源微波射頻效應。

發生變化以GaN材料做為代表性的第3代半導體芯片配件的起源于，GaN HEMT為了其寬頻率段隙而遭到加關注，高對流傳熱性、高熱擊穿場強和高頂值電子設備傳遞速度。依據GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。

南京市立維創展新材料技術是Teledyne防務光電的經銷處商，展示Teledyne防務網上產品的是指LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防務網絡產品的線的支持寬頻段、窄帶、電磁調小器，頻率1MHz~220GHz，效率mW~10kW，優劣勢產品線作為Teledyne防務自動化進貨，歡迎大家詢問。

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Teledyne防務電子.png

Model	Frequency Range MHz	Gain dB Typ.	Noise Figure dB Typ.	P1dB dBm Typ.	P4dB dBm Typ.	P4dB Watts Typ.	IP3/IP2/Pout dBm Typ.	Preamp D.C. Volts Nom	Preamp D.C. mA Max.	D.C. Volt Nom	Amps Q/@P3dB Typ.
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS
AVP598	50-700	16.5	2.5	38	43.2	20.9	50/64/40	N/A	N/A	28	0.85/1.5
AVP514	50-700	40	3.7*	38	43.2	20.9	50/62/40	12	230	28	1.2/2.3
AVP2515	600-2600	17	4.5	35	41	12.6	48/50/37	N/A	N/A	28	0.85/1.50
AVP2524	600-2600	41	4.5	35	41	12.6	47/48/37	12	185	28	1.25/1.9
AVP2030	500-2400	16	3.7	39	44	25.1	53/65/40	N/A	N/A	28	0.85/2.6
AVP2034	500-2400	40	3.7	39	44	25.1	52/62/40	12	200	28	1.2/3.2
AVP2050	900-2000	14	4	42	48	63.1	55/68/43	N/A	N/A	28	1.6/5.50
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS
A2CP2595	20-500	24	3	34	36.2	4.2	45/58/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2595	500-2500	24	3	32.5	34	2.5	40/56/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2596	20-500	24	4.8	36.5	37.5	5.6	8/52/23	15	335	28	0.53/0.70
A2CP2596	500-2500	24	4.3	34.5	37.5	5.6	42/48/23	15	335	28	0.53/0.70

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