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CREE氮化鎵(GaN) HEMT CGHV1F006

公布的事件:2022-06-14 16:42:55     手機瀏覽:1454

CREE的CGHV1F006是無法尖酸刻薄的;專為有的效率實行的氮化鎵(GaN)高電子廠遷徙率氯化鈉晶體管(HEMT);高增加收益和高光纖寬帶的性能。CGHV1F006可起動為L;S;C;X 和Ku頻譜額定功率變小器在使用。信息表的規格隨著C波長(5.5–6.5-GHz)電功率變大器。另一個的使用外接電源電源線路需用作5.8GHz–7.2GHz的C頻譜和7.9–8.4GHz和8.5–9.6GHz的Xk線。CGHV1F006在40V鐵路交通道岔上運用,封裝形態形態在3mmx4mm;接觸面貼裝; 雙扁圓無電纜(DFN)封裝內容。在變少額定工作效率下;CGHV1F006氯化鈉晶體管可在40V下述至20VVDD下課外作業;仍舊增加高增加收益和優質率。

CGHV1F006.png

特征描述

增至15GHz的超控

8W精典輸出功效

6.0GHz時17dB收獲值

9.0GHz時15dB增加收益值

5.8–7.2GHz的運行電原電路板;7.9–8.4GHz;和8.5–9.6GHz。

可以讓用高強度APD和DPD復位

適用

L; S; C; X 和 Ku 頻譜功效拖動器;

廣州市市立維創展自動化是CREE的代理商商,CREE企業產品包函:發亮二級管電源芯片,燈具照明發亮二級管,背光發亮二級管,輸出打開元件,遠程電的頻率機器系統和遠程電機器系統的發亮二級管。CREE僅憑優缺點的產生途徑,常期具有庫存管理,以足夠在我國市場的實際需求,邀請管理咨詢。

內容明白CREErf射頻微波射頻請點擊進入://www.takasago.net.cn/brand/35.html

 

商品 SKU

是較為小的頻繁

更大幀率

峰峰值輸入額定功率

贏得

高效率

運轉電阻

CGHV1F006S-AMP3

8.5GHz

9.6GHz

6W

>7 dB

NA

40 V

CGHV1F006S-AMP1

5.85 GHz

7.2GHz

6W

>7 dB

NA

40 V

CGHV1F006S

DC

15GHz

6W

>7 dB

52%

40 V


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