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UMS公厘波里面配比GAN電功率納米線管

發布信息時間:2022-04-13 16:54:30     挑選:964

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMSmm波打造應用于ASIC或目錄格式軟件的全的方面價錢,一般特征提取集團公司內壁的III-V枝術,并提供了全的方面的合同書業務,使玩家都可以馬上保持自家的車輛來解決方式。UMS分米波的所有的目次好產品從DC到100GHz都基本概念GaAs、Gan和SiGe技術工藝,有達到200W的輸出變成器、混手機信號技能、非常低的噪音污染變成器和完整的的傳輸器操作系統。UMS車輛以合金模具的結構類型保證,但一般來說以多IC芯片控制器的結構類型芯片封裝。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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