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發布信息時間:2022-04-13 16:54:30 挑選:964
GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管
UMSmm波打造應用于ASIC或目錄格式軟件的全的方面價錢,一般特征提取集團公司內壁的III-V枝術,并提供了全的方面的合同書業務,使玩家都可以馬上保持自家的車輛來解決方式。UMS分米波的所有的目次好產品從DC到100GHz都基本概念GaAs、Gan和SiGe技術工藝,有達到200W的輸出變成器、混手機信號技能、非常低的噪音污染變成器和完整的的傳輸器操作系統。UMS車輛以合金模具的結構類型保證,但一般來說以多IC芯片控制器的結構類型芯片封裝。
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信息認知UMS請打開網頁://www.takasago.net.cn/brand/36.html

Reference | RF Bandwidth (GHz) | Small signal Gain | Power | Associated Gain | PAE | DC Bias | Case | |
min | max | |||||||
CHZ180AaSEB | 1.2 | 1.4 | 20 | 200 | >14 | 52 | VDS 45V @ ID_Q 1.3A | Ceramic Metal Flange |
CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN Plastic package |
CHZ8012-QJA | 2.6 | 3.4 | 16.5 | 12 | 11 | 55 | VDS 30V @ ID_Q 180mA | QFN Plastic package |
CHZ9012-QFA | 2.7 | 3.4 | 16 | 65 | 12 | 55 | VDS 30V@ID_Q 800mA | QFN Plastic package |