發布信息時段:2018-07-12 16:10:34 挑選:1929
XF1001-SC也是款高曲線度的Hetrojunction場相應晶狀體管(HFET),選取重工業標準SOT-89封裝形式。當電子元器件偏置在8V的漏極線電壓和300m的漏極感應電流時,應該體現適宜性能參數。在這個偏置點,功率器件并能供應以上30 dBm的P1dB和以上46 dBm的OIP3。XF1001-SC使用在高達hg6 GHz的用途,其增加收益為10 dB。
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MACOM
XF1001-SC
封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場效應晶體管
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