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HMC219B一款超小規模常用雙動態平衡混頻器，用到8引腳超小規模PVC表貼裝封，帶露外焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單整合ic徽波整合三極管板(MMIC)混頻器用到砷化鎵(GaAs)合金材料半導體行業場作用多晶體管(MESFET)工藝設備制作，不要內部組件或適合三極管板。該元件能用的 作幀率條件為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流變頻式空調器、下直流變頻式空調器、雙相調試器或相位比器。 立維創展HMC219B通過進行改進的巴倫組成部分，供給好品質的本振(LO)至頻射(RF)防護及LO至中頻(IF)防護效能。達到RoHS基準的HMC219B暫時無法線焊，與高體積表貼造成技藝兼容。MMIC效能比較穩定可提升 體統工作上效應并抓好達到HiperLAN、U-NII和ISM法律規定要求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE應用領域

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖