發布的時長:2019-01-23 15:05:08 訪問 :2271
CGHV1F025S是一款無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。該器件可用于L,S,C,X和Ku波段放大器應用。數據手冊規格基于X-Band(8.9 - 9.6-GHz)放大器。CGHV1F025S采用40伏軌道電路,采用3 mm x 4 mm表面貼裝雙扁平無引線(DFN)封裝。在功耗降低的情況下,晶體管可以在低于40V的電壓下工作至低至20V的VDD,從而保持高增益和高效率。
CGHV1F025S性能指標峰值輸出功率 | 25W | |
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應用 | 通用寬帶,40 V | |
典型功率(PSAT) | 25瓦 | |
工作電壓 | 40 V | |
頻率 | DC - 15.0 GHz | |
包裝類型 | 表面貼裝 | |
獲得 | 11 dB @ 9.4 GHz |