欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区

AM012WN-BI-R都是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總尺寸為1.25豪米。它是在一款 淘瓷雙包實際操作將高達10千兆赫。BI類型采取特俗設計的的瓷質封裝，采取置入式的安裝方式英文，有點彎折（BI-G）或直（BI）電纜。封裝形式上端的法蘭盤的同時用來作為交流電等電位連接極、微波射頻等電位連接極和熱路通道。此這部分遵循RoHS。

特性

達10GHz的低頻操控

增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

表層貼裝

有效率，散熱處理的底部

利用

高日常動態讀取器

蜂窩無線網絡移動信號塔

寬帶網和窄帶調大器

雷達天線

自測機器設備

軍事戰爭

干攏器