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微波通信元元器
AM025WN-BI-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬為2.5mm。它就是一個陶瓷圖片二極管封裝，操作工作頻率將高達8千兆赫。BI系利用專項 定制的衛浴陶瓷封裝，利用植入式連接方式方法，含帶打彎（BI-G）或直（BI）輸電線。封裝下端的蝶閥法蘭而且代替直流電跨接、頻射跨接和熱車道。此組成部分符合國家RoHS。
結構特征
將高達8GHz的高頻方法
增益值=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
表明貼裝
有效性導熱的表層
運用
高動態數據收器
蜂窩手機無線移動通信基站
光纖寬帶和窄帶擴大器
汽車雷達
檢測檢測設備
軍用
串擾器