Cree單位的CMPA2560025F就是種基本概念氮化鎵(GaN)高智能智能電子轉至率結晶管(HEMT)的單面微波射頻集成系統用電線路(MMIC)。與硅或砷化鎵相對之下,GaN包括比較高一些的穿透電流值、比較高一些的是處于飽和狀態智能智能電子漂移快慢和比較高一些的熱導率。與Si和GaAs結晶管相對之下,GaN-hemt還包括比較高一些的效率溶解度和更寬的上行速率。這些MMIC主要包括一款 有級反饋自動匹配擴大器,使十分寬的上行速率應該在一款 小的征地賠償面積的緊固封口,包括銅鎢蒸發器器。