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X3C19F1-03S有的是個低步伐，高能的3dB分層耦合電路器在是一個新的利于用到，制做舒適的表面層安裝使用芯片封裝。它是為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段運用而設定的。X3C19F1-03S是專為不取舍量工作電壓和低嘈音圖像放大器電路，換成走勢計算和另外必須 低加上損失和要從嚴的震幅和相位不取舍量的運用而設定的。它也可以中用達到了25瓦的高工作電壓運用。零部件已然過非常嚴格的鑒定結論測試方法，他們是動用熱彭脹常數（CTE）的建材研制的，這樣建材與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等普遍基本的材質材料兼容。分娩6個合乎RoHS標準化的浸錫裝飾表面

X3C19F1-03S癥狀：?1700-2300兆赫?擴大器、GSM、WCDMA和LTE?高工作電壓?很低的自然損耗?密不可分波幅均衡?高防護度?種植很友好型?磁帶和護符?無鉛