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EC2612-99F 晶體管

必要性能指標

EC2612-99F 晶體管

rf射頻帶寬起步（GHz）：直流電-40增加收益（dB）：9.5噪音因子（dB）：1.5定貨貨期：3-4周

類產品具體詳情簡紹

EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口高度為120μm，0.15毫米。T形全鋁平板閘門都具有低電阻功率和很棒的耐用性。

該電子器件出現出很的高的跨導，關鍵在于導致很的高的頻次和低噪音風機污染性能方面。

它以處理芯片主要形式給予，包含借助孔拼接的源極，僅需限制柵線和漏極線。