欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区

CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管

首要性能參數

CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管

頻射服務器帶寬（GHz）： 1.2-1.4小移動信號增益值（dB）：16電機功率（W）：15相應收獲（dB）： > 14P-1dB輸送（dBm）：-PAE（％）： > 55定貨交貨期：3-4周

新產品寶貝詳情介召

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為L波長的不同的RF工作功率用途可以提供了寬帶網絡處理計劃方案。該電源電路至關適用于輸入脈沖雷達探測APP。

CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT生產工藝上提出來的。它體系結構準MMIC枝術。

它以符合國家RoHS的SMD封裝作為。