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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

重要性規格

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

頻射資源帶寬（GHz）： 1.2-1.4小表現增加收益（dB）：20功效（W）：200相關聯增益值（dB）： > 14P-1dB工作輸出（dBm）：-PAE（％）： 52定貨交貨時間：3-4周

物料詳情頁解釋

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

更加適電脈沖預警雷達運用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT加工工藝上強調的。它鑒于準MMIC高技術。

它主要采用密封帶法蘭盤淘瓷金屬材料主機電源裝封，可可以提供低寄托在和低導熱系數。