CHK015AaQIA是無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為各項頻射效率選用打造統一和寬帶網很好解決辦法范文。至關可以聲納和中國移動等多實用功能應用領域。
CHK015AaQIA是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上開發技術的。它都要兩個外面相匹配電源線路。
提起了在低資金塑膠片芯片封裝中出示低生存和低導熱系數的提案。
CHK015AaQIA 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻繁 (GHz):18 @ 3崗位幾率(GHz):最久4個達到飽和狀態電功率(W): 20PAE(%)@規律(GHz): 55 @ 3定貨貨期:3-4周CHK015AaQIA是無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為各項頻射效率選用打造統一和寬帶網很好解決辦法范文。至關可以聲納和中國移動等多實用功能應用領域。
CHK015AaQIA是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上開發技術的。它都要兩個外面相匹配電源線路。
提起了在低資金塑膠片芯片封裝中出示低生存和低導熱系數的提案。