CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該集成運放是在SiC襯底上按照0.25μm柵極時間的GaN HEMT能力制作業的。
它以裸IC芯片狀態說出,還要求外一致三極管。
CHK8015-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@聲音頻率(GHz): 17 @ 9工作的頻次(GHz): 較多18飽和公率(W): 20PAE(%)@頻繁(GHz): 68 @ 9購貨交貨時間:3-4周CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該集成運放是在SiC襯底上按照0.25μm柵極時間的GaN HEMT能力制作業的。
它以裸IC芯片狀態說出,還要求外一致三極管。