所述CHA5266-FAB是在無引線面上的二級單面砷化鎵中輸出放縮器施工良好的密封性金屬材質陶瓷廠家6x6mm2包。
它定制使用在從軍事到企業光纖通信操作系統的范圍廣使用。
該電路板采用了pHEMT工藝設計生產制做,柵極間距為0.25μm,順利通過的基板的通孔,水汽橋和電子器材束柵極夜刻技巧生產制做。
它以符合標準RoHS的SMD封裝形式保證。
CHA5266-FAB 放大器– MPA
微波射頻網絡帶寬(GHZ):10-16增益值(dB):24IP3(dBm):35.5P-1dB輸送(dBm):26打出電率(dBm):27.5購貨交貨期:3-4周所述CHA5266-FAB是在無引線面上的二級單面砷化鎵中輸出放縮器施工良好的密封性金屬材質陶瓷廠家6x6mm2包。
它定制使用在從軍事到企業光纖通信操作系統的范圍廣使用。
該電路板采用了pHEMT工藝設計生產制做,柵極間距為0.25μm,順利通過的基板的通孔,水汽橋和電子器材束柵極夜刻技巧生產制做。
它以符合標準RoHS的SMD封裝形式保證。