CHA3689-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
它設計的概念使用在從軍事到企業通信設備系統的比較廣泛使用。
該電源線路應用pHEMT施工工藝生產產生,柵極間距為0.25μm,完成的基板的通孔,氣橋和電子束柵極夜刻能力生產產生。
它以存儲芯片模式出具。
CHA3689-99F 放大器– LNA
rf射頻下行帶寬(GHZ):12.5 - 30增加收益(dB):26收獲同軸度(dB):2噪聲污染比率(dB):2P-1dB打出(dBm):15訂購交貨時間:3-4周CHA3689-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
它設計的概念使用在從軍事到企業通信設備系統的比較廣泛使用。
該電源線路應用pHEMT施工工藝生產產生,柵極間距為0.25μm,完成的基板的通孔,氣橋和電子束柵極夜刻能力生產產生。
它以存儲芯片模式出具。