所述CHA3666-FAB是二級自偏置寬頻帶寬度單支低環境噪聲擴大器。
該電線選取標的pHEMT方法造成:柵極尺寸0.25μm,按照基鋼板的通孔,熱空氣橋和電子廠束柵星空刻。
可以應用無鉛外表面貼裝全開放式重金屬陶瓷圖片6x6mm2封裝形式。產品電為4V / 80mA。
該線路用于太空站應用領域領域,也愈來愈適合各項徽波和毫米(mm)波應用領域領域和系統的。
CHA3666-FAB 放大器– LNA
頻射速率(GHZ): 6 - 16收獲(dB):21收獲同軸度(dB):1的噪音指數公式(dB):1.8P-1dB打出(dBm):17備貨交貨期:3-4周所述CHA3666-FAB是二級自偏置寬頻帶寬度單支低環境噪聲擴大器。
該電線選取標的pHEMT方法造成:柵極尺寸0.25μm,按照基鋼板的通孔,熱空氣橋和電子廠束柵星空刻。
可以應用無鉛外表面貼裝全開放式重金屬陶瓷圖片6x6mm2封裝形式。產品電為4V / 80mA。
該線路用于太空站應用領域領域,也愈來愈適合各項徽波和毫米(mm)波應用領域領域和系統的。