CMD253C3就是一款高IP3雙穩定性混頻器,運用無鉛外層貼裝芯片封裝,可以用于6至14 GHz區間內的上轉成廣泛應用。伴隨提高了balun格局,CMD253C3對rf射頻和中頻接口都兼具很高的隔絕度,因此能能在低至+15dBm的低驅動安裝電平下上班。CMD253C3也可以很輕易地設置為帶異常混頻器和工作效率分發器的圖像文件限制混頻器或一側帶熬制器。
特征描述
低變為衰減
高IP3
高要進行隔離度
寬中頻寬寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT裝封
頻帶寬度LO / RF(GHz):6-14
頻點IF(GHz):DC - 5
增益控制(dB):-6
LO-RF底部隔離(dB):43
LO-IF要進行隔離(dB):39
放入IP3(dBm):23
包:3x3 mm QFN
CMD253C3就是一款高IP3雙穩定性混頻器,運用無鉛外層貼裝芯片封裝,可以用于6至14 GHz區間內的上轉成廣泛應用。伴隨提高了balun格局,CMD253C3對rf射頻和中頻接口都兼具很高的隔絕度,因此能能在低至+15dBm的低驅動安裝電平下上班。CMD253C3也可以很輕易地設置為帶異常混頻器和工作效率分發器的圖像文件限制混頻器或一側帶熬制器。
特征描述
低變為衰減
高IP3
高要進行隔離度
寬中頻寬寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT裝封