中文翻譯
微波射頻元電子器件
AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI系列表的一個分。HiFET不是種部位相匹配的知識產權機生產設備，使用于油田、大電功率和帶寬利用。該部位的總機外面為12.8公分。AM032MH4-BI-R專為高電機功率紅外光采用而設計制作，工做幾率高達到6GHz。BI類型選取特別的設置的瓷磚二極管封裝，彎曲變形或挺直的引線和卡箍選取導入式裝設原則。外包裝尾部的卡箍同一時間用作直流變壓器接地極裝置、rf射頻接地極裝置和熱出入口。種HiFET完全符合RoHS標準。
特點
28伏漏極偏壓
光纖寬帶個部分自動匹配：DC–2.4GHz
達到6GHz的中頻操作方法
高收獲：G=19dB@2GHz
高工率：P1dB=35dBm@2.0GHz
高線性網絡：IP3=50dBm@2.0GHz
更好蒸發器的瓷磚封裝
應運
寬帶網廣泛應用
各類高壓20至28V
wifi本地化環交通網絡
PC基站天線
WLAN、中繼器和超局域網絡
C股票波段VSAT
飛機微電子通信系統