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EPM3-0750-0010D:750V汽車的級氧化硅MOSFET(Gen 3+)的菁英之選

發布新聞周期:2025-07-30 16:28:50     打開網頁:108

在氧化硅(SiC)范疇,Wolfspeed的各類汽車750V E國產裸集成icSiC MOSFET——EPM3-0750-0010D具體表現卓越,延續創新驅動的行業,銳意創新于汽年軟件自制并具備汽年原則。

基本特征

氣車證書:根據苛求證書,需要滿足氣車制造業對耐用性與穩定性的高的要求。

高阻壓與低RDS(ON)穩溫性:高恰恰能阻隔電壓降,產業遙遙領先的低導通熱敏電阻熱安穩性,低導通損耗率、高高質因素。

耐閂鎖:應對出錯閂鎖,從而提高安全性與可靠性,減掉問題。

適用高柵阻推動安裝器:與推動安裝器高柵極內阻合作,設置非常具備靈活性高。

優缺點

提效降本:變低控制開關與減壓反射損耗量,提高了程序質量,極大減少生物質能白白花費,變低運維人工成本。

簡單模式:減小尺寸圖、得到緩解含量,減低一系列冷卻想要,簡單構思、減低代價,升高靠得住性。

低頻易用:兼容高旋鈕次數,做到更快的異常需求量;強院于低RDS(ON)設汁,易串聯,兼容的標準柵極安裝驅動。

EPM3-0750-0010D:750V汽車級碳化硅MOSFET(Gen 3+)的卓越之選

常見軟件應用

小汽車傳動齒輪軟件系統:高轉化率率能量轉化成,改善機誡轉化率與然油經濟增長性。

無刷電機的安裝驅動:精度管控無刷電機的,擔保高效能正常的工作,挺高工作與企業產品格量。

固態硬盤負荷開關:快捷閃斷內部故障工作電流,保護好機器設備與系統人身安全。

EPM3-0750-0010D 750V汽車行業級增碳硅MOSFET(Gen 3+)使用性能菁英、優越性比較突出、采用寬泛,是汽車的機械性電子廠教育領域的良好策劃方案。

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Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

Qualification

EPM3-0750-0010D

750 V

10 mΩ

178 A

267 nC

340 pF

737 nC

25 ns

175 °C

Gen 3+

Automotive


推介方式
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