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?第二代650 V裸片SiC MOSFET

上傳事件:2025-01-03 16:57:39     搜索:639

行在業內超優質導通熱敏電阻和按鈕材料耗費,也可以體現最優效能和馬力容重數據。

Wolfspeed只能根據第三步代650 V SiC MOSFET不斷增加了其氫氟酸處理硅(SiC)技藝上的為主作用。在更全面的的輸配電平臺中做到體形更小、體重更輕、極高效的輸配電和轉化了。650 V SiC MOSFET是的性能睿智重工業交流電源、貼心服務端/5G網絡數據電原、新再生資源直流電高鐵火車(EV)續航器、全釩液流電池生產設備、應急預案電源適配器(UPS)和電芯的管理設備等職能的更優進行。

共同點

較低溫度工作環境的低導通電阻值

低寄托在濾波電容

兼具不高返向康復的便捷電子元器件大家庭中的一員-二極管

延續高熱操作(Tj=175°C)

MOSFET.png

優越性

經過校準打開和傳送不足改善儀器利用率

變現高觸點開關工作頻率調節

增進軟件系統級功效規格主要參數

變低保護裝置規格型號;自重;和加熱請求

一般用途

輕工業24v電源

的電腦服務器/電信寬帶線上

新資源充值樁試驗裝置

微電網機(ESS)

應急救援交流電源(UPS)

微型蓄電池治理系統軟件(BMS)

CREE科銳于2017年離心分離出紅外光微波射頻廠家Wolfspeed,以光纖寬帶、大輸出拖動器物品為特性。

成都市立維創展科技發展是CREE的代理商商,擁有的CREE微波射頻電子元件特色供應橋梁,銀行信用能保證原版正貨。

*的部分款型需注冊俄羅斯進出口許可證書。具體詳情了解越多參數,歡迎詞資詢立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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