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900 V分立氫氟酸處理硅MOSFET CREE

更新日子:2024-12-17 11:21:28     閱覽:684

CREE發展了其在增碳硅(SiC)枝術中的為主作用,低電感分立裝封滿足寬沿面和漏極與源極之中的隙縫間距(~8mm)。900 V分立無定形碳硅MOSFET比較靈活運行最新的的MOSFETIC芯片高頻效果,以及供給APP于高感染生活環境的超量組合件消毒。經濟獨立的開爾文源管腳減小了輸出功率電感;然而面板開關衰減減小了30%。方案師能否順利完成從硅基電子助力硅基來降低了元器比例;順利完成加強電源開關耐磨性,能否順利完成三電平拓撲關系關系轉化成較高效的兩電平拓撲關系關系。

基本特征

在大體任務濕度範圍內,低電阻是900V Vbr

帶驅動程序源的低抗阻封裝

高中醫端電壓,低RDS(來)

低逆向回復(Qrr)的效率本征二級管

有助于于電容串聯,采用簡單的

MOSFET.png

優缺點

經過削減按鈕和傳送耗損提升自己平臺速度

改變高電開關頻率操控性

提生系統軟件級瓦數體積

大幅度降低系統規模化;重量;和散熱需要

打火新的硬按鈕開關拓補(Totem Pole PFC)

先進典型軟件

三相異步電機調節整體

新能量筆記本汽車充電樁機系統

救急電源開關(UPS)

容量電池測試測試系統性

新生物質能源智能車急速充電器設備

車機續航器

傳動齒輪裝制

對焊藝

長沙市立維創展科技發展有限責任單位授權證書經銷商CREE微波通信器材,假如都要購CREE車輛,請彈框右測客服中心溝通我門!!!

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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