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CMPA0060002D一種中帶氮化鎵（GaN）高電子無線轉移率晶胞管（HEMT）的單支紅外光集成型集成運放（MMIC）。與硅或砷化鎵不同于較，GaN擁有更佳成績突出的效能，是指更加高的熱擊穿場強、更加高的飽滿智能漂移運行效率與更加高的導電數值。與Si和GaAs硫化鋅管相比之下較，GaN HEMT還可以提供高的工率溶解度和更寬的上行速率。CMPA0060002D應用區域式（導波）增加器設計的概念指導思想，還可以在更小的占規模內達到極寬的下行帶寬。

表現形式

?17 dB小訊號增加收益值

?2 W明顯PSAT

?額定容量線電壓更是高達28V

?高電壓擊穿場強

?氣溫度運行

?外形尺寸0.169 x 0.066 x 0.0044英寸

應用領域

?超高帶增加器

?光纖線線伺服驅動器器

?測試英文生產設備

?EMC增加器驅程器

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