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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高電子技術變更率氯化鈉晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相對來說較，GaN遵循不錯的能力；分為較高的電壓擊穿場強；飽和狀態智能偏位車速較高；和其較高的熱傳導性。與Si和GaAs結晶體管不同之處較，CGHV60170D可以提供較高的輸出功率容重和更寬的頻寬長度。

設備規格

陳述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMTIC芯片

最小的頻率（MHz）：0

至高頻段（MHz）：6000

增加收益值（dB）：17

封裝類型門類：Die

共同點

65%一般輸出功率浮動成功率

170 W典型性PSAT

50V控制車

高穿透場強

平率超范圍高至6 GHz

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