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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高光學挪動率納米線管（HEMT），使用在多規范蜂窩狀輸出功率調小器技術工藝使用。GTRB226002FC-V1享有有效率化和無軸環的熱增強封口組織形式。

類產品規格為

敘述：SiC HEMT上的高工作電壓RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

平均頻繁 （MHz）：2110

比較高速率（MHz）：2200

P3dB傳輸熱效率（W）：450

增益控制值（dB）：15

效應（%）：60

癥狀

其最典型的的電磁CW耐熱性：10μs脈寬厚度，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty工裝夾具速度=65%

增益值值=14dB

P3dB=450W時的輸出精度最大功率

男模特仿真模型1B級（隨著ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低導熱系數

無鉛并需求RoHS細則

GaN基SiC HEMT高技術

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