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GTRB204402FC/1是CREE的幾款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器材移遷率結晶管（HEMT），著力推進于多標準蜂窩狀工作效率變小器技術應該用應該用需求量設置。GTRB204402FC符合優質率和無軸環的熱提升封裝類型。

護膚品樣式

論述：SiC HEMT上的高輸出RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最少頻點（MHz）：1930

很高頻段（MHz）：2020

P3dB的輸出瓦數（W）：350

增加收益值（dB）：16.3

利用率高率（%）：58

穩定電流電壓（V）：48

芯片封裝等級分類：Earless

封裝類型類型：封裝類型類型分立硫化鋅管

系統：SiC上的GaN

的特點

具代表性的脈沖造成的CW性能指標，2020 MHz，48 V，10μs智能寬，10%pwm占空比，結合輸入輸出

P3dB=350W時的輸入輸出工作電壓

P3dB時的高效化率=65%

男模特類別1C級（據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并無法RoHS規范

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