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?PXAE263708NB-V1 S光波大輸出功率rf射頻LDMOS場負效應晶狀體管

發表日子:2024-11-04 16:57:13     訪問:675

PXAE263708NB-V1是CREE的這款400瓦(P3dB)LDMOS FET,運用于2620至2690 MHz頻段的多規范標準蜂窩狀電率拖動器科技廣泛應用。包括輸入轉換更換;高增益值或者具備有無突緣的熱增進封裝類型行式。PXAE263708NB-V1分為奇特的LDMOS制作工藝工藝;PXAE263708NB-V1更具順暢的熱平衡性和市場大的的安全衛生耐磨性。

PXAE263708NB-V1.png

物料樣式

舉例說明:高電功率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

更低工作頻率(MHz):2620

是最高的率(MHz):2690

P3dB效果最大功率(W):400

收獲(dB):13.5

率(%):47

額定值電流(V):28

封裝形式等級分類:可塑料

芯片封裝類型:芯片封裝類型風格分立氯化鈉晶體管

系統:LDMOS

的特點

寬帶網絡企業內部打印輸出打印輸出支持

非相交性Doherty制定:主P1dB=140W主要值;高值P1dB=260 W主要表現值

具代表性的脈沖發生器CW優點;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的傳輸公率;P3dB=400W時的輸出的電率;利用率=49%(POUT=57 W對數正態分布);增益值=15 dB(POUT=57 W平均)

并能工作32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸入輸出熱效率

集成化化ESD保護區

無鉛并滿足了RoHS標準

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