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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D機制調大器，適用人群于多標準單位蜂窩狀輸出功率調大器的技術利用。GTVA261802FC-V1享有手機輸入支持、提高速率率和無軸環熱增加裝封的特征。

的產品年紀

結合：SiC HEMT上的高瓦數RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

極低率（MHz）：2620

較大 的頻繁 （MHz）：2690

P3dB輸出的工率（W）：170

增益控制值（dB）：16.8

有熱效率率（%）：43

功率的電壓（V）：48

封裝類型類目：Earless

裝封：裝封分立晶狀體管

技術性：SiC上的GaN

特證

?GaN-on-SiC HEMT的技術

?插入兼容

?明顯的電磁CW耐磨性，結構工作輸出，

2690 MHz，48 V，10μs智能間距，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的所在工作功率

-P3dB時的漏高超工作效率=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?還可以完成任務48 V、180 W（CW）輸出精度熱效率下10:1的VSWR

?名模建模方法1A級（要根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱性彈性系數

?無鉛并夠滿足RoHS標準的

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