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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT有的是種聯通寬帶結晶體管電源芯片，涉及DC-3.5 GHz任務中展開了改進。該電子廠器件使用CW，激光脈沖和波形任務中，傷害工作效率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150無比選使用國防軍事通訊系統，大陸運動無限電，空航電子廠措施設備，無限根基措施，ISM應運和VHF / UHF / L / Sk線雷達探測。用到SIGANTIC®的工藝生產制造 - 一種生活專有的GaN-on-Silicon系統。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全.球必然二家于rf射頻應運的GaN on Si科技制造商。我門在Si RF瓦數單尖晶石管食品上給予多方向的累計波（CW）GaN，身為分立網上元件和包塊，裝修設計做工作在DC至6 GHz。我門的高瓦數CW和直線單尖晶石管是民用建筑飛機網上生產設備，通信技術的工藝，網絡信息，長激光脈沖統計及其工業化，地理學和醫治應運的佳會選擇。我門的食品組合式憑借了MACOM高出60年的民俗，即是用GaN on Si科技給予標準規定和環保定制家具緩解解決辦法，以考慮客服最嚴格的具體需求。我門的GaN on Silicon食品，用分立單尖晶石管和集成型變大器，用0.5μmHEMT的工藝，在瓦數，增益值控制，增益值控制比較平整度，質量方向展示出成績突出的RF性能方面，