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　　CREE CGH35060P2是一款專為高效率設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬帶寬能力，特別適合在3.1至3.5 GHz的S波段進行脈沖放大器應用。它采用了陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝，確保了其在特定應用中的可靠性和穩定性。

　　主要特征：

　　運營平率面積：3.3至3.6 GHz　　閥值熱效率程度：60W　　小走勢增加收益：12 dB　　在8瓦輸出的時的精度向量力度(EVM)：< 2.0%　　在8瓦所在時的排水系統能力：25%　　使用：WiMAX加固聯接(802.16-2004 OFDM)和WiMAX活動聯接(802.16e OFDMA)

　　技術規格：

　　器件號：CGH35060P2　　敘述：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化鎵HEMT　　至少平率：3100 MHz　　主要頻繁：3500 MHz　　峰峰值的輸出電率：60W　　增益值：12.0 dB　　吸收率：60%　　任務電流電壓：28V　　封裝行駛：分立單晶體管，蝶閥法蘭、丸　　技木：GaN-on-SiC(炭化硅基氮化鎵)　　CGH35060P2氯化鈉硫化鋅管頗為高吸收率率和適合于低頻操作方法的屬性，在遠程通信網和汽車雷達體統等高功效廣泛應用中呈現卓越。其氮化鎵枝術帶來了不同于過去硅基氯化鈉硫化鋅管的功效，比較是在高溫和性各類高壓大環境下。

成都 市立維創展信息技術是CREE的零售商商，有CREE微波射頻電子元器件優勢采購途徑，并長久庫存積壓現貨平臺，以作全球賣場意愿。