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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的主要特質例如：　　- 次數范圍之內：DC至5GHz　　- 打出最大功效(P3dB)：在2.2GHz幾率下，打出最大功效能夠達到49W。　　- 線形增加收益：在2.2GHz速率下，基本特征增加收益為22.3dB。　　- 典型性PAE3dB：在2.2GHz頻率下，能力萬代高達71.5%。　　- 事業電流值：48V。　　- 低傳熱系數二極管封裝：在高瓦數崗位時更好熱量散發，恢復集成電路芯片的不穩判定性和保修期。　　- 大力支持反復波(CW)和脈沖激光工作任務經營模式　　QPD0030應該app于Doherty框架中，相當時候是大中型蜂窩、微蜂窩和有源定向天線機模式的通信基站設備工作電壓調大器的后來級，也應該應用于微蜂窩通信基站設備工作電壓調大器的帶動器。該元件用于了行業領域細則的4x3mm漆層貼裝QFN芯片封裝，更加方便集成模式到共有的rf射頻機模式設計制作中。

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