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HW-R3N-1.81-S 3dB 90°交織交叉耦合器Electro-Photonics

推送時長：2024-05-15 08:39:57     瀏覽網頁：845

　　HW-R3N-1.81-S 3dB 90°混合耦合器是由ELECTRO-PHOTONICS公司制造的。這款耦合器具有廣泛的應用和突出的特點，例如可以用于信號分割/組合，展現出優秀的寬帶射頻性能，適用于放大器電路，具有低插入損耗、高功率處理能力，以及微波混頻等功能。

HW-R3N-1.81-S 3dB 90°混合耦合器Electro-Photonics

　　關鍵外形尺寸因素，HW-R3N-1.81-S混合著藕合設施有明確的的電率、頻繁 區間、嵌入損害、和平和屏蔽度等運作。其頻繁 區間在600-1300MHz范圍內，嵌入損害為0.2dB，和平度為±0.4dB，屏蔽度為27dB。還有，該藕合器的相位和平為±4dB，且在二極管封裝工作溫度為55°C時的VSWR(電阻駐波比)為1.2。

 POWER
  (W)		PART NUMBERFREQUENCYINSERTION LOSS
   (MHz)         (dB)		AMPLITUDE
BALANCE
(dB)		ISOLATION
(dB)		VSWRPHASE BALANCE
   500*HW-R3N-1.81-S600-1300       0.2±0.427  1.2±4

ELECTRO-PHOTONICS享有25年的處于被動頻射組件定制與制作技術，物品主要包括混合型和定位解耦器、功分器、濾波器、各種測試板、分隔器、方形器等物品。

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