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UMS微波加熱CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

氯化鈉晶體管以裸晶片行駛供應，需其他切換用電線路模塊充足展現其竟爭力。既使，更是這設定優勢給了CHK5010-99F多種的模塊和寬泛的應用竟爭力。例如共同點例如其優異的聯通寬帶學習能力，使用高達hg12 GHz的脈寬和連續性波基本操作。因為GaN工藝，該設置可體現高輸送和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時體現最加穩定性。于此，該存儲芯片存在0.90x0.80x0.1mm的密集尺寸圖，即便 在受阻的空間區域中也可能更快集合。不僅要其優異的穩定性，CHK5010-99F還符合要求RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準單位，加強組織領導環保標準和安全保障。這讓運行者在取舍和運行產品時順心，而無需不必擔心對壞境的有礙反應。肯定，CHK5010-99F都是款必玩依賴的高耐熱性GaN硫化鋅管，有著大量的app和優秀的功用。其可笑成都印象領會到的耐熱性和不符合行業中標準規定使其將成為微波射頻輸出app的可信采用，為該行業領域確立了新的會性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

山東市立維創展科枝受限機構授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。