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CREE的CMPA2735030是種結合氮化鎵 (GaN) HEMT 的單支紅外光模塊化控制電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵較之較，GaN兼有愈來愈非常好的能力；比如越來越高的擊穿電壓場強；越來越高的飽和狀態電子元器件漂移率和越來越高的導熱性彈性系數。與Si和GaAs晶狀體管優于較，GaN HEMT還供給了更快的電功率硬度和更寬的上行寬帶。CMPA2735030其中包括多級電抗支持工率增加器設計的設想，也可以完成甚為寬的網絡帶寬。

的特點

固定工作電壓將高達 50 V

高熱擊穿場強

：寬度為 5mm x 5mm；QFN 封裝

高熱度選擇

APP領域

民用型型和軍用用脈沖發生器雷達探測公率擴大器

軟件型號規格

說明：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 輸出功率調小器

很低頻繁(MHz)：2700

最快的頻率(MHz)：3500

最大值模擬輸出瓦數(W)：30

增益控制值(dB：)30.0

運轉吸收率（％）：45

特殊電壓降(V)：50

表現形式：離散裸基帶芯片

封裝類：Die

技能：GaN-on-SiC

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