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CREE的CMPA1D1E030D是款增碳硅單晶硅上結合氮化鎵 (GaN) 高手機知識率單晶體管 (HEMT) 的單面微波加熱集成系統電源線路 (MMIC)；CMPA1D1E030D運用0.25μm柵極長寬工藝流程枝術。與硅想必較，GaN-on-SiC有著愈加不錯的機械性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；含有越來越高的電壓擊穿場強；越來越高的供大于求電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移高效率和越來越高的熱傳導標準值。

特征描述

27 dB 小4g信號增益控制值

30 W 一般 PSAT

工做電阻值高至 40 V

高穿透場強

持續高溫度操作

app科技領域

小行星通訊網上行帶寬鏈

的產品標準

敘述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 電機功率拖動器

最高規律(MHz)：13750

較高幾率(MHz)：14500

最底值輸出精度瓦數(W)：30

增加收益值(dB)：26.0

速率（％）：25

運轉直流電壓(V)：40

方法：MMIC 裸片

芯片封裝種類：Die

科技：GaN-on-SiC

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