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CREE的CMPA1D1E025F是款炭化硅單晶硅上基于氮化鎵 (GaN) 高自動化變更率氯化鈉晶體管 (HEMT) 的單面徽波集成式電路設計 (MMIC)；備選 0.25 μm 柵極大小加工制作加工工藝。與硅相較于較，GaN-on-SiC兼有變得更加非常好的的安全性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及更快的擊穿電壓場強；更快的飽和點電子器件漂移效應和更快的導熱性因子。CMPA1D1E025 備選 10 電線；25 mm x 9.9 mm；塑料/陶瓷圖片法蘭盤盤封裝類型就能夠建立最人生理想的電器環保設備環保設備和熱安全性。

特征英文

24 dB 小數據信號增益控制值

40 W 常見脈沖信息信息 PSAT

額定負載端電壓高至 40 V

OQPSK 下 20 W 波形工作功率

A/B類高增加收益；優質率 50 Ω MMIC Ku 頻帶寬度段高功效變成器

應該用科技領域

軍工概念股用和商用機 Ku 光波雷達探測

食品規模

描述英文：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 頻譜 GaN MMIC 效率調大器

最高頻率(MHz)：13500

最好頻段(MHz)：14500

最低值打出電機功率(W)：25

增益值值(dB)：26.0

事情效應（％）：16

電機額定功率工作電壓(V)：40

類別：封口的MMIC

芯片封裝類型：蝶閥法蘭盤

科技：GaN-on-SiC

山東市立維創展科持現有子公司品牌授權銷售CREE微波射頻電子元件，假如是需要購CREE護膚品，請打開左測客戶找.我！！！