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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

顯著特點

7.9–8.4GHz辦公

80WPOUT（其最典型的值）

>13dB輸出功率增益值值

33%主要直線PAE

50Ω內配搭

<0.1dB馬力下降

技術應用行業

衛星影像通信

地光纖寬帶

成品規模

文章的話：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；手機輸入/效果穿搭GaNHEMT

平均頻率(MHz)：7900

最底速度(MHz)：8400

上限值所在電率(W)：50

收獲值(dB)：13.0

利用率（％）：33

額定的電流值(V)：40

行式：封裝類型行式分立尖晶石管

裝封的方式專業類別：活套法蘭盤

技術水平采用：GaN-on-SiC