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CGHV50200F是種也可以設汁用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

表現形式

4.4–5.0GHz辦公

180W常考PSAT

11.5dB常見馬力增益控制值

48%一般電源線利用率

50Ω里面配適

應用鄰域鄰域

通信衛星數據通訊

逾越視角——BLOS

平衡層光學元件散射移動通訊

車輛規格

描寫：200瓦；4400-5000MHz；50Ω錄入/輸出兼容；氮化鎵高智能電子挪動率晶狀體管

較低概率(MHz)：4400

較高頻點(MHz)：5000

很高值的輸出耗油率(W)：200

收獲值(dB)：11.5

作業效應（％）：33

額定電流電壓(V)：40

形態：打包封裝形態分立多晶體管

封裝內型內型:法蘭盤盤

技術用：GaN-on-SiC