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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高智能電子遷徙率多晶體管(HEMT)。擁有前所并未的投入，并能在DC-2.0GHz范圍圖之外提供數據比較好的的瞬時帶寬使用性能。與硅或砷化鎵比起較，CGHV40180極具變得成績突出的功能；具有高的穿透場強；高的呈現飽和狀態光電子漂移的快與慢高的導熱性指數。與Si和GaAs納米線管相對較，CGHV40180還保證更大的工率規格和更寬的帶寬的配置。CGHV40180配用2電纜線金屬件/衛浴陶瓷卡箍盤和藥丸式封裝形式，就能保持好一點電力和熱可靠性。

特證

投入不支持

180W(CW)極低輸出功率

250W主要表現公率

24dB基本特征小網絡信號增益值值

28V和50V使用的

應用方向

雷達監測監測

醫療管理保鍵

寬帶網調小器

信息查詢安全管理VHF-UHF

國防軍事訓練軍事訓練移動通訊裝備

設備年紀

描述英文：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高網上移動率尖晶石管

低些率(MHz)：0

最高的頻繁 (MHz)：2000

上限值轉換額定功率(W)：200

增益控制值(dB)：24.0

熱效率（％）：70

功率交流電壓(V)：27

型號：封裝類型分立硫化鋅管

封裝品類：法蘭部盤、丸狀

技術水平用：GaN-on-SiC